檢索結果：共3筆資料 檢索策略： "電子工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="電路佈局"
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SiC MOSFET以其優越的性能和較低的損耗在大功率能量轉換領域獲得了廣泛關注和廣泛應用。在實際應用中，它們通常需要並聯連接，但不平衡的寄生參數會阻礙開關同步動作。因此，佈局中低且平衡的寄生電…
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儘管半導體的製造技術已經進入奈米層級，導通孔失效的問題仍然無法有效地被解決；可製造性設計的方法已被用來縮短積體電路設計與半導體製造的差距， 在以元件為基礎(cell-based)的超大型的積體電路設…
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儘管製程技術不斷的快速進步，奈米層級的半導體製造技術仍然無法有效解決製作導通孔(via)失敗的問題，增加冗餘導通孔(redundant via)是典型的方法可以提高晶圓良率和可靠性。在以元件單位為基…